高手进阶,终极内存技术指南——完整/进阶版
日期:2007年8月7日 作者: 查看:[大字体 中字体 小字体]-
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Kentron公司给出的QBM与其他内存方案的成本比较表,从中可以看出QBM有较高的性价比
但是,开关元件的同步性对于QBM是个考验,时钟频率越高,对开关的控制精度就越高。目前,有不少大牌的模组厂商(如Infineon)都在论证QBM的可行性与可靠性,据部分厂商透露,在使用DDR-333或之前标准时,QBM的表现良好,但到了DDR-400,QBM的可靠性就会降低,如果克服这一个问题,那么延迟又会大幅提高。所以,QBM目前的可行标准是QBM533(DDR-266)和QBM667(DDR-333)。VIA在P4X800中将要支持的标准也是QBM533,虽然不能使用DDR-400,但它的5.4GB/s带宽(QBM667)在目前仍是无敌的。
不过,由于QBM是针对模组的技术,所以理论上QBM可适用于任何DIMM,包括SDRAM和DDR-Ⅱ的DIMM,Kentron也有此计划研制QBM型DDR-Ⅱ DIMM,以保持QBM的生命力。另外,Kentron已将QBM标准上报JEDEC审批,目前还不知能否通过。很多模组厂商也都在观望,毕竟QBM转产是很容易的,就看市场情况了。所以,QBM虽然设计巧妙,但得到的支持并不强劲,以Kentron及QBM联盟的生产能力,显然不足以完成普及任务,一切就看P4X800的市场效果了。
三、模组的堆叠装配
当内存芯片容量无法迅速提高的时候,高容量模组如何设计就体现了厂商间的真正实力,由于高容量模组针对的是高端应用市场,所以谁能在容量上有所突破就意味着滚滚商机。就模组而言,芯片基本是固定的,所以芯片堆叠装配(Stack Assembly)技术就是增加容量的首选。
这方面除了Elpida、Kentron、Kingston等公司较早以前提出的TCP、FEMMA、EPOC等堆叠形式外(已有多篇文章介绍过,在此不再重复),著名的封装技术开发商Tessera公司(它在1990年因研制出CSP封装而闻名于世)近期宣布了他们的4枚芯片堆叠装配的模组技术(TCP与EPOC都是两芯片堆叠)——μZ Package,当然,芯片本身的封装也要有相应的调整。而Infineon公司也推出了普通TSOP-II技术的双芯片堆叠装配技术。显然,模组厂商都想利用有限的空间(毕竟在主板上插槽之间的距离是有限的)尽量提高装配容量,若再配合SiP封装形式的内存芯片,DIMM的扩容就如虎添翼了。

Infineon的采用TSOP-II堆叠封装的模组,容量高达2GB

Tessera公司为高容量模组开发的4枚芯片堆叠装配技术μZ Package
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